請教版主&各位先進:

問題一：PicMcu本身的ESD耐受能力大概到正負幾KV?
前提是：
1)Mcu無任何ESD線路(設計)保護。
2)產品外殼為ABS材質(以卡勾固定，未使用螺絲)。
3)承2，或是無外殼。
4)ESD施打為任意處(理由：+-15KV的ESD會由縫隙鑽進產品內部)。


問題二：MCU的抗ESD能力可再提升嗎?
我現在在做一個用於車上的一個控制器，使用PIC18LF6520-I/PT，並有一個外部WDT(AME8520 AEEVEFE31Z)。
除了一些開關信號輸入之外，也會控制數個Relay。

[輸入部份]
在每一個信號輸入腳，一進到PCB，就先有一個SMD0603的103/50V陶瓷電容接地，緊接著是逆向保護的SMD型4148二極體，再由SMD0603的470歐姆排阻提升到+5V，最後串接一個SMD0603的47K歐姆排阻進到mcu。

[輸出部份]
Relay則是內外皆有，分別以ULN2004A或是以ROHM的SSTA06 NPN型電晶體驅動。

[WDT部份]
mcu會固定約200mS發出一個"LO"信號給AME8520，以清除外部WDT，防止AME8520在mcu的MCLR接腳上送一個"RESET"過來。另外，mcu內部的WDT也有啟動並定時清除之。MCU的MCLR接腳與WDT相連，但中間有串一個4K7歐姆電阻，於WDT側有一10K歐姆提升至+5V。

[OSC部份]
16MHz，Crystal AT49U/S型式，並聯1M6歐姆，20P電容對地。未使用內部4倍頻功能。Crystal的GND，與mcu的地相通，旦未與系統地直接相連。

[電源部份]
有實施電源逆向保護，12V電瓶電源進來之後，就是一個1A7整流二極體，然後是突波吸收器。採用78DL05AS，接腳前後皆有大小電容(470uF及104)。系統總秏電200mA以下。

[PCB Layout]
MCU的VDD線寬0.254mm，GND線寬0.4mm，總長約7cm，直接由7805拉過來，並儘可能遠離CONNECTOR(最近距離約4cm)。未使用BEAD及ESD元件(試過了，加了也沒用)。MCU及外部WDT的VDD/GND接腳各有104電容緊靠著。另外，距PCB板邊2mm以上才有線路Layout，且在四周有寬2mm以上GND(其上有1mm寬soldermask已打開)保護環。限定使用雙面PCB板。銅箔為2Oz。

[目標]
空氣放電及接觸放電，作動中正負15KV施打於外殼，不得有任何異常，連RESET也不可發生。然後再慢慢提升至正負30KV，以測出產品的最終耐受能力。產品六面各100下，每一下的間隔時間為1秒。

[現況]
測試時，以靜電槍施打ESD，接觸型式放電。現在可耐受：
1)外殼：正12KV，負8KV，作動中。
2)產品的輸出入端子：正負10KV，作動中。
3)內部線路，MCU附近，正2KV，作動中(負ESD未試過)。
4)施打於外殼時，8KV以上就會有ESD電弧由縫隙鑽進去。
超出此範圍，產品就會RESET。

我試過數種不同的提高抗ESD方法，皆無顯著效果。也試過將外部WDT(AME8520)拔掉，情形一樣。

請問如何修改才可提升抗ESD，以達目標?[還有救嗎?會不會搞到最後，得更換mcu…]

我手上有一個日製的控制器，mcu不知是那家的(mark已改掉)，作動中直接施打於端子，可達正負30KV，無任何異常…
mcu外觀為QFP-80，chip還挺厚的，約2.5mm