Re: 中文註解會導致編譯失敗,是否也會影響程式執行?
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感謝tonys大大的回覆,幸好這些特殊字裡面,大概就"許功蓋\"會比較常用,小弟下次就懂得避開了。十分感謝您的詳細回覆。
jesse
發表於: 2006/6/22 17:23
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Re: 中文註解會導致編譯失敗,是否也會影響程式執行?
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看來跟版本也有關,感謝nicecookie大大特地撥冗回覆小弟的問題。
jesse
發表於: 2006/6/22 17:20
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PIC18LF6520的ESD能力可再提升嗎?如何做到正負15KV?
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請教版主&各位先進:
問題一:PicMcu本身的ESD耐受能力大概到正負幾KV? 前提是: 1)Mcu無任何ESD線路(設計)保護。 2)產品外殼為ABS材質(以卡勾固定,未使用螺絲)。 3)承2,或是無外殼。 4)ESD施打為任意處(理由:+-15KV的ESD會由縫隙鑽進產品內部)。 問題二:MCU的抗ESD能力可再提升嗎? 我現在在做一個用於車上的一個控制器,使用PIC18LF6520-I/PT,並有一個外部WDT(AME8520 AEEVEFE31Z)。 除了一些開關信號輸入之外,也會控制數個Relay。 [輸入部份] 在每一個信號輸入腳,一進到PCB,就先有一個SMD0603的103/50V陶瓷電容接地,緊接著是逆向保護的SMD型4148二極體,再由SMD0603的470歐姆排阻提升到+5V,最後串接一個SMD0603的47K歐姆排阻進到mcu。 [輸出部份] Relay則是內外皆有,分別以ULN2004A或是以ROHM的SSTA06 NPN型電晶體驅動。 [WDT部份] mcu會固定約200mS發出一個"LO"信號給AME8520,以清除外部WDT,防止AME8520在mcu的MCLR接腳上送一個"RESET"過來。另外,mcu內部的WDT也有啟動並定時清除之。MCU的MCLR接腳與WDT相連,但中間有串一個4K7歐姆電阻,於WDT側有一10K歐姆提升至+5V。 [OSC部份] 16MHz,Crystal AT49U/S型式,並聯1M6歐姆,20P電容對地。未使用內部4倍頻功能。Crystal的GND,與mcu的地相通,旦未與系統地直接相連。 [電源部份] 有實施電源逆向保護,12V電瓶電源進來之後,就是一個1A7整流二極體,然後是突波吸收器。採用78DL05AS,接腳前後皆有大小電容(470uF及104)。系統總秏電200mA以下。 [PCB Layout] MCU的VDD線寬0.254mm,GND線寬0.4mm,總長約7cm,直接由7805拉過來,並儘可能遠離CONNECTOR(最近距離約4cm)。未使用BEAD及ESD元件(試過了,加了也沒用)。MCU及外部WDT的VDD/GND接腳各有104電容緊靠著。另外,距PCB板邊2mm以上才有線路Layout,且在四周有寬2mm以上GND(其上有1mm寬soldermask已打開)保護環。限定使用雙面PCB板。銅箔為2Oz。 [目標] 空氣放電及接觸放電,作動中正負15KV施打於外殼,不得有任何異常,連RESET也不可發生。然後再慢慢提升至正負30KV,以測出產品的最終耐受能力。產品六面各100下,每一下的間隔時間為1秒。 [現況] 測試時,以靜電槍施打ESD,接觸型式放電。現在可耐受: 1)外殼:正12KV,負8KV,作動中。 2)產品的輸出入端子:正負10KV,作動中。 3)內部線路,MCU附近,正2KV,作動中(負ESD未試過)。 4)施打於外殼時,8KV以上就會有ESD電弧由縫隙鑽進去。 超出此範圍,產品就會RESET。 我試過數種不同的提高抗ESD方法,皆無顯著效果。也試過將外部WDT(AME8520)拔掉,情形一樣。 請問如何修改才可提升抗ESD,以達目標?[還有救嗎?會不會搞到最後,得更換mcu…] 我手上有一個日製的控制器,mcu不知是那家的(mark已改掉),作動中直接施打於端子,可達正負30KV,無任何異常… mcu外觀為QFP-80,chip還挺厚的,約2.5mm
發表於: 2005/10/15 11:35
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