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thanin

Re: SAMD21G18A 發生Hard Fault

#71

新會員

您好，
之前一直出現Hard Fault問題，而且是在不同的位置，造成難以確定問題所在。
然而，今天我終於發現問題出在電源不穩，這導致MCU的運行出現混亂。

發表於: 2023/11/29 16:04

主題 | 論壇

stevench

ATMEGA32U4 flash issue

#72

初級會員

您好!
目前開發ATMEGA32U4 發現快閃記憶體中的資料（特別是從位址 0x000 到 0x080）偶爾會被擦除 - 替換為128 位元組的0xFF，我們不確定根本原因。您是否熟悉可能導致此問題的任何相關問題？感謝

BR
Steven

發表於: 2023/11/29 10:12

主題 | 論壇

thanin

SAMD21G18A 發生Hard Fault

#73

新會員

您好，

請問在發生Hard Fault時，是否有特定的代碼可以用來判斷是什麼問題呢？

謝謝您

發表於: 2023/11/27 16:50

主題 | 論壇

a780917a

BLDC六步驅動的問題

#74

高級會員

大家好,這次想問的是用於BLDC六步驅動的腳位控制
使用的是PIC16F1933,搭配MCC做腳位設定,用ECCP(1~3)將
RC0,RC2,RC7設為PWM輸出控制上臂,
RA6,RC1,RC6設一般IO輸出控制下臂,

問題1:PWM關斷方式
下面的程式,當上臂需關斷時用 EPWM1_LoadDutyValue(0);
將DutyCycle寫0,這樣有問題嗎?還是可以用IO_RC2_LAT=0;
或PORTC = (PORTC & 0xFB);之類的程式去關


/*

 反轉順序:132645

 RC0(EPWM2):W+ RC2(EPWM1):V+ RC7(EPWM3):U+

 RA6:W- RC1:V- RC6:U-

 */

void PWM_Switch(void)

{

    switch(Hall_P)

    {

        case 0:

                LED_RC4_LAT = 0;

                break;

    

        case 1://U+W-   

            if(Hall_N == 5 ||  Flag.Initial==0)

            {

                EPWM3_LoadDutyValue(DutyCycle); //U+

                IO_RA6_LAT = 1; //W-

                EPWM1_LoadDutyValue(0);  //V+ = 0

                Hall_N = 1;

                Hall_Er_T = 0;   

            }

                break;

                

        case 2://W+V-   U+ = 0   

            if(Hall_N == 3 ||  Flag.Initial==0)

            {               

                EPWM2_LoadDutyValue(DutyCycle); //W+

                IO_RC1_LAT = 1; //V-

                EPWM3_LoadDutyValue(0); //U+ = 0

                Hall_N = 2;

                Hall_Er_T = 0;   

            }                

                break;      

                

        case 3://U+V-   W- = 0

            if(Hall_N == 1 ||  Flag.Initial==0)

            {            

                EPWM3_LoadDutyValue(DutyCycle); //U+

                IO_RC1_LAT = 1; //V-

                IO_RA6_LAT = 0; //W- = 0

                Hall_N = 3;

                Hall_Er_T = 0;                

            }

                break;     

                

        case 4://V+U-  W+ = 0

            if(Hall_N == 6 ||  Flag.Initial==0)

            {

                EPWM1_LoadDutyValue(DutyCycle); //V+

                IO_RC6_LAT = 1; //U-

                EPWM2_LoadDutyValue(0);  //W+ = 0

                Hall_N = 4;

                Hall_Er_T = 0;

            }

                break;  

                

        case 5://V+W-   U- = 0

            if(Hall_N == 4 ||  Flag.Initial==0)

            {            

                EPWM1_LoadDutyValue(DutyCycle); //V+

                IO_RA6_LAT = 1;  //W-

                IO_RC6_LAT = 0;  //U- = 0

                Hall_N = 5;

                Hall_Er_T = 0;

            }

                break;

         

        case 6://W+U-   V- = 0

            if(Hall_N == 2 ||  Flag.Initial==0)

            {                

                EPWM2_LoadDutyValue(DutyCycle); //W+

                IO_RC6_LAT = 1; //U-

                IO_RC1_LAT = 0; //V- = 0

                Hall_N = 6;

                Hall_Er_T = 0;         

            }

                break;  

           

        case 7:

                LED_RC4_LAT = 0;

                break;            

    }

}

問題2:Hall訊號與換相
Hall腳位要不要用IOC中斷去觸發?或者放在主程式裡隨時偵測就好?
電子換相怎麼這麼危險..Hall隨便一個雜訊導致相位切錯就是直接爆炸
做了很多種嘗試,還是無法完全避免雜訊問題,有沒有建議呢?


Hall_P = (PORTB & 0x07);

            PWM_Switch();

問題3:ALARM後的處理
目前是用過電流與換相計時的方式觸發ALARM
ALARM觸發後該六臂全部切斷嗎?
會不會有馬達反電勢無處釋放造成IGBT燒壞的情況呢?
目前只要運作中出問題,驅動板就會有元件燒毀..只能猜原因。

發表於: 2023/11/22 14:39

主題 | 論壇

Train

Re: microchip mindi voltage source text 訊號輸入模擬

#75

新會員

Hi,

請用 FDPWL (File-Defined Piecewise Linear Source) 設定.

Regards
Train

發表於: 2023/11/20 19:22

主題 | 論壇

Libra

Re: 關於內部Nonvolatile Memory讀寫的問題 SAMC21N18A

#76

管理員

您好, 首先 RWWEE 與 Flash Emulated EEPROM 的確如您所描述的分屬於不同的區塊, 但都歸類在 NVMCTRL的管轄之下, 這裡有兩篇 APP note相信對於您理解他們之間的區別及應用有很大的幫助

https://ww1.microchip.com/downloads/en ... plicationNote_AT10931.pdf

https://ww1.microchip.com/downloads/en ... 3974_Application-Note.pdf

由於 NOR Flash 的特性, 無法如同真正的 EEPROM 達到單一Byte的擦除及寫入, 在32位元的MCU中, 若想擁有一塊特定的非揮發性記憶體區塊, 但是不想額外設計製程容量密度比不同且不一定會用到的的 EEPROM 在 Memory 中時, 通常會使用 Flash 來實現 EEPROM 以達到應用上折衷的需求.
RWWEE 又比 Flash Emulated EEPROM 更接近 EEPROM 的使用情境, 因為當程式在Flash執行時, 可以同時對 RWWEE 進行寫入操作. 因此這只能說使用 Flash 來達成的"類"EEPROM 的功能.

發表於: 2023/11/20 11:41

Edited by Libra on 2023年11月21日 09:31:51