您好, 首先 RWWEE 與 Flash Emulated EEPROM 的確如您所描述的分屬於不同的區塊, 但都歸類在 NVMCTRL的管轄之下, 這裡有兩篇 APP note相信對於您理解他們之間的區別及應用有很大的幫助

https://ww1.microchip.com/downloads/en ... plicationNote_AT10931.pdf

https://ww1.microchip.com/downloads/en ... 3974_Application-Note.pdf

由於 NOR Flash 的特性, 無法如同真正的 EEPROM 達到單一Byte的擦除及寫入, 在32位元的MCU中, 若想擁有一塊特定的非揮發性記憶體區塊, 但是不想額外設計製程容量密度比不同且不一定會用到的的 EEPROM 在 Memory 中時, 通常會使用 Flash 來實現 EEPROM 以達到應用上折衷的需求.
RWWEE 又比 Flash Emulated EEPROM 更接近 EEPROM 的使用情境, 因為當程式在Flash執行時, 可以同時對 RWWEE 進行寫入操作. 因此這只能說使用 Flash 來達成的"類"EEPROM 的功能.

Hi Libra,

感謝您的回覆~
另外，想再請教關於RWWEE與EEPROM emulation的差異。

以下是我根據Datasheet第9章(Memories)與第27章(NVMCTRL – Nonvolatile Memory Controller)中的了解，不曉得觀念是否正確?

Q1:
首先是針對位址(Address)的部分，以SAMC21N18A型號來說，RWWEE是已經固定好的一塊8KB大小空間，位址為：0x00400000 ~ 0x00401FFF，如Datasheet中Figure 27-3所示。

EEPROM emulation 則是在256KB的Flash中(0x00000000 ~ 0x0003FFFF)，切一塊空間出來模擬EEPROM，大小可以在NVM User Row中選定，並且從最高位址往下切割，如Datasheet中Figure 27-4所示。

EX: NVM User Row (0x804000 [6:4]) 寫入1 ，表示EEPROM Emulation Area Size 為 8Kbytes的大小，位址會落在: 0x0003E000 ~ 0x0003FFFF。

- ---------------- 我是分隔線 --------------------

Q2:
RWWEE 與 EEPROM Emulation之所以稱做EEPROM，是因為其寫入/抹除行為能單一字節做處理嗎?
但按照RWWEE的範例程式來看，一樣只能以頁面(Page or Row)的單位做處理。
若不是以上的原因為何稱為EEPROM?

- ---------------- 我是分隔線 --------------------
1. 兩者分別使用的情境為何?以及RWW (Read While Write)的實際用途?

謝謝

關於 __attribute__ 請參閱 XC32 compiler for SAM/PIC32C 說明
P124 8.11 VARIABLE ATTRIBUTES
https://ww1.microchip.com/downloads/en ... 2_PICC_UG_DS50002895A.pdf

關於程式碼 :
#define NVMCTRL_FLASH_ROWSIZE (256U)
const uint8_t nvm_user_start_address[NVMCTRL_FLASH_ROWSIZE] __attribute__((aligned(NVMCTRL_FLASH_ROWSIZE),keep,externally_visible,space(prog)))= {0};

幾本上的解讀為宣告一個矩陣 nvm_user_start_address 空間大小為 256 Bytes
256byte 是內部 NVMFlash的Row erase size,
aligned用來指定該矩陣所對齊的地址, 也就是起始位址, 即 0x100
keep, externally_visible 用來避免compiler將之忽視, 並且宣告為外部可以參照到的記憶體位址
space(prog) 宣告該矩陣變數所在位址為 Internal Flash(Programming Memory)

簡單來說, 就是在程式記憶體(Flash)中預留一塊大小為256 bytes的空間, 用來進行Flash的讀寫存取.
好處是, 該Flash空間可以隨著程式燒錄時一併預留下來, 而且還是可以直接寫程式定址的一個矩陣.
壞處是, 如果重新燒錄程式時, 就會被一併Erase, 因為該空間屬於程式定址範圍內的區域.

Attach file:

---

  SAMC21_NVM.jpg (490.84 KB)

具我印象所知，你問的三個宣告應該如下。
詳細說明可以參考Compiler User’s Guide (google一下就可以找到)

__attribute__((keep)) 可以應用於函數。 keep 屬性將
使用 --gc-sections 防止Linker時刪除該函數，即使它是
沒用過。

externally_visible,宣告成外部可見的變數或函數

space(prog),宣告使用的是 prog的這個區塊

Dear Microchip Team,

最近再練習MCU內部Memory讀寫的功能，參考了\HarmonyFramework\csp_apps_sam_c20_c21\apps\nvmctrl\ 裡的兩個範例。
兩個範例在宣告記憶體空間的方式不太一樣~

nvmctrl_flash_read_write 中的宣告方式

// Define a constant array in Flash.
// It must be aligned to row boundary and size has to be in multiple of rows
const uint8_t nvm_user_start_address[NVMCTRL_FLASH_ROWSIZE] __attribute__((aligned(NVMCTRL_FLASH_ROWSIZE),keep,externally_visible,space(prog)))= {0};

執行後，使用ICD4回讀整個記憶體的資料，發現寫入的位址是0x1200，但範例程式中並沒有任何起始位址的定義，請問在這樣的情況下，是否就由compiler自行分配位址呢?

在nvmctrl_flash_read_while_write 中的宣告方式
const uint8_t nvm_user_start_address[NVMCTRL_FLASH_ROWSIZE] __attribute__((address(NVMCTRL_FLASH_START_ADDRESS+0x20000),keep,externally_visible,space(prog)))= {0};

這裡就有定義執行位址NVMCTRL_FLASH_START_ADDRESS+0x20000， 如果未來想自己定義起始位置，是否可以使用下面的方式宣告呢?

const uint8_t nvm_user_start_address[NVMCTRL_FLASH_ROWSIZE] __attribute__((aligned(NVMCTRL_FLASH_ROWSIZE),address(NVMCTRL_FLASH_START_ADDRESS+0x20000) ,keep,externally_visible,space(prog)))= {0};

最後，是否有大師知道__attribute__中 keep, externally_visible, space(prog) 這三個關鍵詞的功能是什麼?

謝謝~