Re: TC4427PMOSFET Drivers 問題
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版主
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http://ww1.microchip.com/downloads/en/AppNotes/00797a.pdf
先參考一下這個 Application Note for the TC4427
發表於: 2008/2/13 18:19
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Re: TC4427PMOSFET Drivers 問題
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高級會員
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MOSFET的輸入電阻是要看該MOSFET的Ciss(也就是輸入電容),以及Td(Turn delay time)而定。
我幫你看過了IRF2807的DATA SHEET,建議你可用輸入電阻從5.1歐姆放起,不要大過47歐姆,GS間可用220K歐姆。 輸入電阻不一定立即就決定,將來產品在EMI DEBUG時還會更動;當加大時,會使MOSFET TURN ON放慢,大多數情況下,EMI會減小。減小時;MOSFET TURN ON會快,EMI也許會加大,切換損失會較小,也就是效率會較佳。所以是好幾個方向做考量的。我留下Mail,有問題可以和我連絡。 andy@inctech.com.tw
發表於: 2008/2/13 16:30
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Re: TC4427PMOSFET Drivers 問題
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新會員
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感謝您!!!重點是要如何計算電阻值?=>(例如MOSFET的規格IRF2807)MOSFET的G、S間都放上一顆100K-220K之間的電阻以及進GATE也要放一顆約5.1-51歐姆輸入
發表於: 2008/2/13 9:15
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Re: TC4427PMOSFET Drivers 問題
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高級會員
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我做過多年的Switching power supply的開發工作,也使用過許多的MOSFET。
一般都會在MOSFET的G、S間都放上一顆100K-220K之間的電阻以及進GATE也要放一顆約5.1-51歐姆輸入電阻(視MOSFET的規格)。 因為MOSFET是一種高輸入阻抗的元件,只要有極小的雜訊就會使MOSFET導通,所一般會放一顆電阻在G、S之間,讓雜訊經由這顆電阻下到地去,不讓雜訊流經G、S讓MOSFET誤動作。 但是;這顆電阻阻值放得太小時,又會和GATE的輸入電組形成分壓,使得VGS的電壓不夠,這會讓MOFET不會導通或是導通的不夠。所以大約會是100K-220K之間。提供您做參考,希望有效。
發表於: 2008/2/12 22:13
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Re: TC4427PMOSFET Drivers 問題
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新會員
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經過測試還是無法改善!!!且向貴司代理商(禾伸堂)申請TC4427PMOSFET Drivers *5PCS於測試時發生爆裂燒毀!!!可以再提供Sample?敬請回覆!!感恩
發表於: 2008/2/12 17:27
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Re: TC4427PMOSFET Drivers 問題
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新會員
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感謝您!!!但是嘗試G 端加入電阻6.8K接地後還是沒有改善!!請教對於電感性負載應該如何解決solution?與PCB LAYOUT有關?
發表於: 2008/2/12 17:10
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Re: TC4427PMOSFET Drivers 問題
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新會員
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嘗試G 端加入電阻6.8K接地後還是沒有改善!!請教對於電感性負載應該如何解決solution?與PCB LAYOUT有關?
發表於: 2008/2/12 17:09
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Re: TC4427PMOSFET Drivers 問題
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版主
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G 端加入電阻接地後是否有改善?
發表於: 2008/2/12 10:07
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Re: TC4427PMOSFET Drivers 問題
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資深會員
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我想"PMOSFET輸入端",應包含G(閘極),G在一定的電壓(恕我沒有去看spec)會導通D/S極,所以有可能在輸入端沒有異常雜訊,而G極的脈衝(noise)有可能導致輸出脈衝(noise),所以可以試著在G極中,加入接地電阻,或小電容等等. 希望有幫助!!! 謝謝
發表於: 2008/2/6 22:47
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