Re: dspic2023 EEPROM
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版主
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請在看一下 NVMCON 暫存器的設定,WREN bit 必須設為 "1",所以 NVMCON 正確的設定為 0x4041 for 1 row rease.
發表於: 2007/10/31 9:41
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Re: dspic2023 EEPROM
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版主
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row erase 就是將一個區塊先做清除(因為是 Flash 的製程),他無法像一般的 24LCxx 的EEPROM一次可以單獨對一個位址操作(清除、寫入)。所以一次的操作要考慮先將該區塊 32 Instruction Words 先清除後才可以寫入,而且寫入時事先寫到內部的 Image latch 後再啟動寫入動作一次將32 Instruction Words 一次寫入到 Flash 裡。
有關 TBLPAGE 暫存器的用法可以參考 dsPIC30F Peripheral -- Internal EEPROM Module 的workshop 裡的說明,裡面的 EEPROM 的存取也跟Flash相差不遠。
發表於: 2007/10/29 16:58
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Re: dspic2023 EEPROM
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新會員
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我不太了解意思..想請問一下 有範例程式嗎..還是相關的課程
row Erase ( 32 Instruction area) 這我不太知道是什麼.... 還有就是TBLPAG這暫存器的用處是什麼..... 我剛接觸dspic 可能要麻煩大家了.....謝謝各位
發表於: 2007/10/29 15:43
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Re: dspic2023 EEPROM
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版主
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不行直接用 W Reg. 直接寫入要清除的位置。你必須先做一個 row Erase ( 32 Instruction area)(使用 NVMADR+NVMADRU) 後才能利用 Table Write 的方式將資料連續寫到 Image Latch (32 words) 後再啟動寫入機制將資料寫入 Flash Memory。
dsPIC30F2023 沒有 EEPROM 的設計,只能用 Flash Memory 去模擬,有關更詳細的說明請參考底下的 pdf 檔。 http://ww1.microchip.com/downloads/en/DeviceDoc/70052D.pdf
發表於: 2007/10/25 16:11
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dspic2023 EEPROM
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新會員
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想請問一下有關EEPROM的問題,我看了手冊有關EEPROM的暫存器 NVMADR和NVMADRU
不知道可不可以直接用 W REGISTER直接寫入要清除的位置, MOV #0XFC00,W0 MOV W0,NVMADR MOV #0x007F,W0 MOV W0,NVMADRU MOV #0x4045,W0 MOV W0,NVMCON MOV #0x55,W0 MOV W0,NVMKEY MOV #0xAA,W1 MOV W1,NVMKEY BSET NVMCON,#WR 我使用單步執行觀察NVMADR和NVMADRU暫存器發現值沒有改變,不知道是否還有其他需要設定,還是說要先定義位址..... 可能要麻煩大家 寫個範例程式...... 感謝在感謝
發表於: 2007/10/25 0:45
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