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E/PT 與 I/PT 溫度規範
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剛剛查詢dsPIC33EPXXGS50X E與I 系列的差異
Datasheet 上寫溫差條件
• 3.0V to 3.6V, -40°C to +85°C, DC to 70 MIPS
• 3.0V to 3.6V, -40°C to +125°C, DC to 60 MIPS

其中
I = -40C to +85C (Industrial)
E = -40C to +125C (Extended)

這裡有個疑惑:
代表我的MCU內部震盪須設定在60 MHz 才有 -40~125C的功效嗎?
若內震改為70 MHz無論是E或I都只能在-40~85C 的工作溫度

4月15日 08:58:55
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Re: E/PT 與 I/PT 溫度規範
版主
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來自 CAE, Microchip
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晶片的工作溫度與封裝及速度是相關聯的。以 TQFP 在工作溫度上就有差異。如你所列之溫度與 MIPS 的規格是對的。
要修改是 dsPIC33EP 的速度比是 2:1 的 (Fosc/2 = MIPS , Default 的設定) 所以執行 70 MIPS 時內必須使用 PLL 倍頻到 140MHz 才會有 70 MIPS 的效能。

附加檔案:



jpg  擷取.JPG (44.20 KB)
16_5cb3f84680f52.jpg 852X415 px

4月15日 11:19:34
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Re: E/PT 與 I/PT 溫度規範
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謝謝版主回覆,已解決該問題~

4月25日 08:44:55
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