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使用PIC24FJ64GA004基於AN1095知相關問題
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2012/05/09 11:43
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HP : 0 / 68
MP : 8 / 1284
離線
如題~小弟這陣子需要將大量資料(約8KB)
對Flash ROM 作讀寫 at run time
因此參考了AN1095
進而產生了以下幾個問題
1.由PIC24FJ64GA004 Datasheet CH3提到使用
TABL指令時,會用TBLPAG(8bits)定義flash空間的32KB範圍
我將其解讀32KB > 8KB(我的需求)
因此此方法是符合我的容量需求的,這樣想法正確嗎?

2.AN1095參考程式裡,宣告了
#define DATA_EE_BANKS 10
#define DATA_EE_SIZE 255
#define DATA_EE_TOTAL_SIZE (DATA_EE_BANKS * DATA_EE_SIZE)
#define NUM_DATA_EE_PAGES 3
這四個變數相對關係為何?

3.身為韌體設計者的您,若遇到與我相同問題時,
您會用此方式直接寫入Flash ROM,還是會加上外部EEPROM
又或是還有其他種方式呢?

以上還請各位先進給予指教
謝謝!!

2013/01/16 00:02
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Re: 使用PIC24FJ64GA004基於AN1095知相關問題
版主
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來自 CAE, Microchip
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1. PSV 的觀念,請猜考右邊教育訓練光碟下的 dsPICMOD dsPIC30F Module Training 裡的 10. Internal EEPROM 章節。雖然 PIC24FJ 沒有內建的 EEPROM 不過 PSV 及 Table Read/Write 的觀念是一樣的。

2. 使用內部 Flash 當作 EEPROM 來存放資料。這些都是在做 Flash 的 Block Erase Size 等定義,一樣參考 Table Read/Write 的部分就可以了解。

3. EEPROM 有個特性,耐久力可達 1 百萬次,而 Flash 通常只有 1000 ~ 10000 次的抹寫能力。所以這就要看你抹寫的次數來決定。
對於常常要寫入的應用建議使用 EEPROM。

2013/01/16 11:44
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