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Re: ATSAMD51J18A 有關Code Protect相關文件
#17
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感謝Libra的說明,終於知道Configuration bits是從哪裡產生在Hex檔裡了。

從自己的Bootlaoder 解Hex一直有看到有Configuration Bits的資訊在Hex檔裡,
就是找不到放在Code的哪個地方。

另外plib_nvmctrl.c 只有提供NVMCTRL_BlockErase 沒有提供NVMCTRL_PageErase
Configuration bits需透過Page Erase才可以成功抹除。
寫入的時候需透過NVMCTRL_QuadWordWrite()來寫入,
否則使用NVMCTRL_PageWrite()也是沒辦法寫進去。

以上提供給要使用的人參考。

發表於: 2021/9/30 16:38
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Re: ATSAMD51J18A 有關Code Protect相關文件
#16
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可以用 BOD33 這個 keyword來查詢, 下面是SAMD21的說明
縮圖

Attach file:



jpg  SAMD21_BOD33.jpg (266.29 KB)
67979_61551dbccef93.jpg 916X727 px

發表於: 2021/9/30 10:15
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Re: ATSAMD51J18A 有關Code Protect相關文件
#15
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HI Sirs, 您好.

目前 project 在 marmory configurator 中有看到 BOD33 user level, 是設定 0x06,
請問 0x06 代表什麼電壓 level 值嗎?

在什麼文件有寫到這個設定的解說嗎? 看 spec 中沒看到設定值的說明.

謝謝您~


參照:

Ryang wrote:

資料在開、關電階段被修改與電源上升、下降的速度有關,尤其是關機的時候。關機後電源開始下降如果降到核心工作的臨界電壓值時,如果這時 MCU 沒有進入 Reset 狀態下這時程式會使用殘餘的電量開始失控到處亂執行造成 Flash 或 EEPROM 被修改。

我不曉得您是否了解 BOR 的功能。此功能有內建在 MCU 裡可以用燒 Code 方式選擇作動電壓,或在 Reset 腳位加入一個 Voltage Supervisor 的元件 (如: MCP1xx)。
MCP103 : 1uA Supervisor Push-Pull Active Low
https://www.microchip.com/en-us/product/MCP103

BOR 一般稱為掉電偵測或重置。如果 MCU 工作是 3.3V 那選用的 BOR 電壓是 2.7V 的話。只要電源掉到 2.7V 以下 MCU 就會進入 Reset Mode 直接鎖住 MCU 不再執行任何程式包含程式的亂跑。

所以建議先啟用 BOR 功能在燒錄 Configuration 時開啟。

Attach file:



jpg  BOD33.jpg (59.31 KB)
121331_61550e3def04f.jpg 561X444 px

發表於: 2021/9/30 9:15
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Re: ATSAMD51J18A 有關Code Protect相關文件
#14
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參照太多, 只留下當前的問題
想再請教一下,看我的流程是否正確:
第一個問題是:
我是使用MPLAB X IDE, 在Production->Set Configuration Bit, 開發環境提示需使用Simulator tool才可以進入編輯模式,編輯後有個"Generate Source Code to Output",按下去就會在Output 視窗產生Code,把它貼進主程式,Compiler 後,Configuration Bit 設定就會包在Hex檔裡面對吧?
Ans: 如果你是使用Harmony來實作時, 建議在MHC中設定Fuse值, 這樣就可以在Gencode時, 自動產生Fuse(Configuration bit)的假指令#Pragma, 然後燒錄時MPLAB X IDE會依照假指令的設定, 將Fuse值寫到SAM MCU中, 含這個假指令的HEX, 目前只有在MPLAB X IDE/IPE中執行燒錄才會有效, 如果在Atmel Studio 7中燒錄這個HEX, 則Fuse不會燒到MCU中. MHC產生的假指令會產生在initialization.c中.
縮圖


第二個問題是:關於上面說的保護後需先解開,才可以再次進行燒錄,想詢問需要從哪邊的設定
才可以進行修改目前MCU Configuration Bit的設定。
Ans: 在Production->Set Configuration Bit中, 必須要先自MCU讀取當前的Fuse設定, 讀取設定時必須要先連接好燒錄器(不能使用Simulator tool), 還沒讀取之前Fuse設定是紅色的
縮圖


讀取成功後就會變成黑色的, 然後就可以更改你要的設定, 之後再執行Fuse Write即可.

[注意] Fuse更動後, 必須要Power Cycle才能在Cold boot時生效!
另外! HEX中如果有含Fuse的設定時, 再次燒錄HEX後, 會覆蓋手動修改的內容
相同的, 燒錄完含Fuse的HEX之後, 亦可以手動Write Fuse來修改HEX的設定
還有! Fuse設定也可以寫程式在執行中, 透過NVM API來自己更動

縮圖

Attach file:



jpg  MHC_Fuse.jpg (288.96 KB)
67979_61525aff4c56b.jpg 910X558 px

jpg  XIDE_FuseRead.jpg (288.75 KB)
67979_61525b16cd65d.jpg 1155X349 px

jpg  XIDE_FuseWrite.jpg (286.44 KB)
67979_61525b400cf59.jpg 1152X377 px

發表於: 2021/9/28 8:00

Edited by Libra on 2021年09月28日 08:15:21
Edited by Libra on 2021年09月28日 08:17:45
Edited by Libra on 2021年09月28日 08:18:06
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Re: ATSAMD51J18A 有關Code Protect相關文件
#13
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參照:

Kevin88 wrote:
如果跟 power-off 電壓有關.
請問你的 reset RC 值, 各是多少?

改變放電時間, 是否有幫助?


資料在開、關電階段被修改與電源上升、下降的速度有關,尤其是關機的時候。關機後電源開始下降如果降到核心工作的臨界電壓值時,如果這時 MCU 沒有進入 Reset 狀態下這時程式會使用殘餘的電量開始失控到處亂執行造成 Flash 或 EEPROM 被修改。

我不曉得您是否了解 BOR 的功能。此功能有內建在 MCU 裡可以用燒 Code 方式選擇作動電壓,或在 Reset 腳位加入一個 Voltage Supervisor 的元件 (如: MCP1xx)。
MCP103 : 1uA Supervisor Push-Pull Active Low
https://www.microchip.com/en-us/product/MCP103

BOR 一般稱為掉電偵測或重置。如果 MCU 工作是 3.3V 那選用的 BOR 電壓是 2.7V 的話。只要電源掉到 2.7V 以下 MCU 就會進入 Reset Mode 直接鎖住 MCU 不再執行任何程式包含程式的亂跑。

所以建議先啟用 BOR 功能在燒錄 Configuration 時開啟。

發表於: 2021/9/27 11:28
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Re: ATSAMD51J18A 有關Code Protect相關文件
#12
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參照:

Libra wrote:
感謝您的提問, 沒錯Erase All對Flash內容還是有效,
是Flash保護相關的Fuse 設定無法被Erase All清除!
更正一下我這段話
注意! 一但設定Boot Protect或是Region Lock時,則被保護及鎖定的Flash區域,將無法再被燒錄新程式,
Erase All 可以清除Flash全部內容, 但是無法解除(清除)Boot Protect及Region Lock的設定,
因此 要 Reprogram 之前一定要先解除(清除)Boot Protect及Region Lock的設定後,才能釋放被保護或鎖定的Flash區域,否則 Reprogram 會失敗。

參照:

jlian wrote:
你好 : 下面這段話, 會不會有問題?這樣的話不是先解除後就看得到程式碼了嗎?

注意! 一但設定Boot Protect或是Region Lock時,則被保護及鎖定的Flash區域,將無法再被Erase或是燒錄新程式,Erase All也無效,一定要先解除(清除)Boot Protect及Region Lock的設定後,才能釋放被保護或鎖定的Flash區域,Erase all及Reprogram才能正常。

謝謝.


想再請教一下,看我的流程是否正確:
第一個問題是:
我是使用MPLAB X IDE, 在Production->Set Configuration Bit, 開發環境提示需使用Simulator tool才可以進入編輯模式,編輯後有個"Generate Source Code to Output",按下去就會在Output 視窗產生Code,把它貼進主程式,Compiler 後,Configuration Bit 設定就會包在Hex檔裡面對吧?

第二個問題是:關於上面說的保護後需先解開,才可以再次進行燒錄,想詢問需要從哪邊的設定
才可以進行修改目前MCU Configuration Bit的設定。

發表於: 2021/9/24 11:10
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Re: ATSAMD51J18A 有關Code Protect相關文件
#11
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感謝您的提問, 沒錯Erase All對Flash內容還是有效,
是Flash保護相關的Fuse 設定無法被Erase All清除!
更正一下我這段話
注意! 一但設定Boot Protect或是Region Lock時,則被保護及鎖定的Flash區域,將無法再被燒錄新程式,
Erase All 可以清除Flash全部內容, 但是無法解除(清除)Boot Protect及Region Lock的設定,
因此 要 Reprogram 之前一定要先解除(清除)Boot Protect及Region Lock的設定後,才能釋放被保護或鎖定的Flash區域,否則 Reprogram 會失敗。

參照:

jlian wrote:
你好 : 下面這段話, 會不會有問題?這樣的話不是先解除後就看得到程式碼了嗎?

注意! 一但設定Boot Protect或是Region Lock時,則被保護及鎖定的Flash區域,將無法再被Erase或是燒錄新程式,Erase All也無效,一定要先解除(清除)Boot Protect及Region Lock的設定後,才能釋放被保護或鎖定的Flash區域,Erase all及Reprogram才能正常。

謝謝.

發表於: 2021/9/23 10:22
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Re: ATSAMD51J18A 有關Code Protect相關文件
#10
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參照:

Kevin88 wrote:
如果跟 power-off 電壓有關.
請問你的 reset RC 值, 各是多少?

改變放電時間, 是否有幫助?


Reset RC值 分別是10k & 4.7n
請問您也有遇到相同狀況嗎?
因為現象不好複制,只能先下對策看是否能讓問題不再次發生。
待後續發生頻率更頻繁,可以複制現象,可以試試您說的改變
放電時間是否有幫助。

發表於: 2021/9/22 16:55
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Re: ATSAMD51J18A 有關Code Protect相關文件
#9
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你好 : 下面這段話, 會不會有問題?這樣的話不是先解除後就看得到程式碼了嗎?

注意! 一但設定Boot Protect或是Region Lock時,則被保護及鎖定的Flash區域,將無法再被Erase或是燒錄新程式,Erase All也無效,一定要先解除(清除)Boot Protect及Region Lock的設定後,才能釋放被保護或鎖定的Flash區域,Erase all及Reprogram才能正常。

謝謝.

發表於: 2021/9/22 15:49
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Re: ATSAMD51J18A 有關Code Protect相關文件
#8
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參照:

Libra wrote:
關於您的問題, 是否有使用Bootloader呢?
1. 如果要避免Flash被debugger讀出來時,請設定NVM Fuse 中的 Secure bit,但是您的問題這個應該無效.
2. 如果是Flash前面幾個Byte被不明破壞(寫入)時,請設定NVM Fuse中的Boot Protect,可以指定要保護開機區的Byte數.
3. 如果想要保護整個Flash或是大區域時,請設定NVM Fuse中的 Region Lock,可以指定要Lock的區塊
4. 電壓不穩時,一樣要去設定NVM Fuse中的 BOD值,避免讓MCU在電壓不穩時工作.

注意! 一但設定Boot Protect或是Region Lock時,則被保護及鎖定的Flash區域,將無法再被燒錄新程式,
Erase All 可以清除Flash全部內容, 但是無法解除(清除)Boot Protect及Region Lock的設定,
因此 要 Reprogram 之前一定要先解除(清除)Boot Protect及Region Lock的設定後,才能釋放被保護或鎖定的Flash區域,否則 Reprogram 會失敗

Note: Atmel studio 7中可以找到Fuse的設定介面,如果是使用MPLAB X IDE時,則在 Configuration bit中設定。


感謝Libra回覆,我找時間再試試看。

發表於: 2021/9/22 15:29

Edited by Libra on 2021年09月23日 10:25:44
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