SAMD21G18A 發生Hard Fault
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新會員
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您好,
請問在發生Hard Fault時,是否有特定的代碼可以用來判斷是什麼問題呢? 謝謝您
發表於: 2023/11/27 16:50
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Re: microchip mindi voltage source text 訊號輸入模擬
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新會員
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Hi,
請用 FDPWL (File-Defined Piecewise Linear Source) 設定. Regards Train
發表於: 2023/11/20 19:22
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Re: 關於內部Nonvolatile Memory讀寫的問題 SAMC21N18A
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管理員
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您好, 首先 RWWEE 與 Flash Emulated EEPROM 的確如您所描述的分屬於不同的區塊, 但都歸類在 NVMCTRL的管轄之下, 這裡有兩篇 APP note相信對於您理解他們之間的區別及應用有很大的幫助
https://ww1.microchip.com/downloads/en ... plicationNote_AT10931.pdf https://ww1.microchip.com/downloads/en ... 3974_Application-Note.pdf 由於 NOR Flash 的特性, 無法如同真正的 EEPROM 達到單一Byte的擦除及寫入, 在32位元的MCU中, 若想擁有一塊特定的非揮發性記憶體區塊, 但是不想額外設計製程容量密度比不同且不一定會用到的的 EEPROM 在 Memory 中時, 通常會使用 Flash 來實現 EEPROM 以達到應用上折衷的需求. RWWEE 又比 Flash Emulated EEPROM 更接近 EEPROM 的使用情境, 因為當程式在Flash執行時, 可以同時對 RWWEE 進行寫入操作. 因此這只能說使用 Flash 來達成的"類"EEPROM 的功能.
發表於: 2023/11/20 11:41
Edited by Libra on 2023年11月21日 09:31:51
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Re: 請問APP-SAM9X60 Hobby Kit在starting kernel時會卡住的問題
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新會員
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Hi Kevin,
好喔, 我再來試試. 感謝! BR, Mark
發表於: 2023/11/18 11:20
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Re: 請問APP-SAM9X60 Hobby Kit在starting kernel時會卡住的問題
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管理員
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發表於: 2023/11/16 10:13
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Re: 請問APP-SAM9X60 Hobby Kit在starting kernel時會卡住的問題
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新會員
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Hi Kevin,
在您指定的目錄下未找到at91-sam9x60_curiosity.dts 附件是我目錄下的截圖. 謝謝!
發表於: 2023/11/15 23:11
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Re: 請問在microchip sample網站訂的樣品,大概多久會到?
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管理員
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您好, 郵差很厲害的, 只要您的5碼郵遞區號寫正確, 鄉下地方也沒問題喔!
英文地址翻譯可以上中華郵政幫您自動翻譯 https://www.post.gov.tw/post/internet/ ... hZone/index.jsp?ID=130112
發表於: 2023/11/15 13:45
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Re: ATMEGA168PB flash corruption
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管理員
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請問觸摸CRYSTAL Pin的行為造成 flash corruption 是因為產品設計上該腳位會被使用者誤觸所導致的嗎?
SPM指令只可在 Boot Program section ( Bootloader) 中執行, 程式應該是真的有進到 bootloader 才會執行到 SPM, 可否確認發生 flash corruption 前, 程式是否進入 bootloader 中 ? 是否為 Reset 導致進入 Bootloader ? 使用外部晶振時, 若Crystal Pin有雜訊導致時脈異常, 有可能令程式停止執行或是產生不可預期的結果.
發表於: 2023/11/15 13:40
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Re: 關於內部Nonvolatile Memory讀寫的問題 SAMC21N18A
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新會員
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Hi Libra,
感謝您的回覆~ 另外,想再請教關於RWWEE與EEPROM emulation的差異。 以下是我根據Datasheet第9章(Memories)與第27章(NVMCTRL – Nonvolatile Memory Controller)中的了解,不曉得觀念是否正確? Q1: 首先是針對位址(Address)的部分,以SAMC21N18A型號來說,RWWEE是已經固定好的一塊8KB大小空間,位址為:0x00400000 ~ 0x00401FFF,如Datasheet中Figure 27-3所示。 EEPROM emulation 則是在256KB的Flash中(0x00000000 ~ 0x0003FFFF),切一塊空間出來模擬EEPROM,大小可以在NVM User Row中選定,並且從最高位址往下切割,如Datasheet中Figure 27-4所示。 EX: NVM User Row (0x804000 [6:4]) 寫入1 ,表示EEPROM Emulation Area Size 為 8Kbytes的大小,位址會落在: 0x0003E000 ~ 0x0003FFFF。 - ---------------- 我是分隔線 -------------------- Q2: RWWEE 與 EEPROM Emulation之所以稱做EEPROM,是因為其寫入/抹除行為能單一字節做處理嗎? 但按照RWWEE的範例程式來看,一樣只能以頁面(Page or Row)的單位做處理。 若不是以上的原因為何稱為EEPROM? - ---------------- 我是分隔線 -------------------- 1. 兩者分別使用的情境為何?以及RWW (Read While Write)的實際用途? 謝謝
發表於: 2023/11/13 17:06
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