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SAMD21G18A 發生Hard Fault
#51
新會員
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您好,

請問在發生Hard Fault時,是否有特定的代碼可以用來判斷是什麼問題呢?

謝謝您

發表於: 2023/11/27 16:50
頂部


BLDC六步驅動的問題
#52
高級會員
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大家好,這次想問的是用於BLDC六步驅動的腳位控制
使用的是PIC16F1933,搭配MCC做腳位設定,用ECCP(1~3)將
RC0,RC2,RC7設為PWM輸出控制上臂,
RA6,RC1,RC6設一般IO輸出控制下臂,

問題1:PWM關斷方式
下面的程式,當上臂需關斷時用 EPWM1_LoadDutyValue(0);
將DutyCycle寫0,這樣有問題嗎?還是可以用IO_RC2_LAT=0;
或PORTC = (PORTC & 0xFB);之類的程式去關

/*
 反轉順序:132645
 RC0(EPWM2):W+ RC2(EPWM1):V+ RC7(EPWM3):U+
 RA6:W- RC1:V- RC6:U-
 */
void PWM_Switch(void)
{
    switch(
Hall_P)
    {
        case 
0:
                
LED_RC4_LAT 0;
                break;
    
        case 
1://U+W-   
            
if(Hall_N == ||  Flag.Initial==0)
            {
                
EPWM3_LoadDutyValue(DutyCycle); //U+
                
IO_RA6_LAT 1//W-
                
EPWM1_LoadDutyValue(0);  //V+ = 0
                
Hall_N 1;
                
Hall_Er_T 0;   
            }
                break;
                
        case 
2://W+V-   U+ = 0   
            
if(Hall_N == ||  Flag.Initial==0)
            {               
                
EPWM2_LoadDutyValue(DutyCycle); //W+
                
IO_RC1_LAT 1//V-
                
EPWM3_LoadDutyValue(0); //U+ = 0
                
Hall_N 2;
                
Hall_Er_T 0;   
            }                
                break;      
                
        case 
3://U+V-   W- = 0
            
if(Hall_N == ||  Flag.Initial==0)
            {            
                
EPWM3_LoadDutyValue(DutyCycle); //U+
                
IO_RC1_LAT 1//V-
                
IO_RA6_LAT 0//W- = 0
                
Hall_N 3;
                
Hall_Er_T 0;                
            }
                break;     
                
        case 
4://V+U-  W+ = 0
            
if(Hall_N == ||  Flag.Initial==0)
            {
                
EPWM1_LoadDutyValue(DutyCycle); //V+
                
IO_RC6_LAT 1//U-
                
EPWM2_LoadDutyValue(0);  //W+ = 0
                
Hall_N 4;
                
Hall_Er_T 0;
            }
                break;  
                
        case 
5://V+W-   U- = 0
            
if(Hall_N == ||  Flag.Initial==0)
            {            
                
EPWM1_LoadDutyValue(DutyCycle); //V+
                
IO_RA6_LAT 1;  //W-
                
IO_RC6_LAT 0;  //U- = 0
                
Hall_N 5;
                
Hall_Er_T 0;
            }
                break;
         
        case 
6://W+U-   V- = 0
            
if(Hall_N == ||  Flag.Initial==0)
            {                
                
EPWM2_LoadDutyValue(DutyCycle); //W+
                
IO_RC6_LAT 1//U-
                
IO_RC1_LAT 0//V- = 0
                
Hall_N 6;
                
Hall_Er_T 0;         
            }
                break;  
           
        case 
7:
                
LED_RC4_LAT 0;
                break;            
    }
}


問題2:Hall訊號與換相
Hall腳位要不要用IOC中斷去觸發?或者放在主程式裡隨時偵測就好?
電子換相怎麼這麼危險..Hall隨便一個雜訊導致相位切錯就是直接爆炸
做了很多種嘗試,還是無法完全避免雜訊問題,有沒有建議呢?
Hall_P = (PORTB 0x07);
            
PWM_Switch();

問題3:ALARM後的處理
目前是用過電流與換相計時的方式觸發ALARM
ALARM觸發後該六臂全部切斷嗎?
會不會有馬達反電勢無處釋放造成IGBT燒壞的情況呢?
目前只要運作中出問題,驅動板就會有元件燒毀..只能猜原因。

發表於: 2023/11/22 14:39
頂部


Re: microchip mindi voltage source text 訊號輸入模擬
#53
新會員
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Hi,

請用 FDPWL (File-Defined Piecewise Linear Source) 設定.

Regards
Train

發表於: 2023/11/20 19:22
頂部


Re: 關於內部Nonvolatile Memory讀寫的問題 SAMC21N18A
#54
管理員
管理員


您好, 首先 RWWEE 與 Flash Emulated EEPROM 的確如您所描述的分屬於不同的區塊, 但都歸類在 NVMCTRL的管轄之下, 這裡有兩篇 APP note相信對於您理解他們之間的區別及應用有很大的幫助

https://ww1.microchip.com/downloads/en ... plicationNote_AT10931.pdf

https://ww1.microchip.com/downloads/en ... 3974_Application-Note.pdf

由於 NOR Flash 的特性, 無法如同真正的 EEPROM 達到單一Byte的擦除及寫入, 在32位元的MCU中, 若想擁有一塊特定的非揮發性記憶體區塊, 但是不想額外設計製程容量密度比不同且不一定會用到的的 EEPROM 在 Memory 中時, 通常會使用 Flash 來實現 EEPROM 以達到應用上折衷的需求.
RWWEE 又比 Flash Emulated EEPROM 更接近 EEPROM 的使用情境, 因為當程式在Flash執行時, 可以同時對 RWWEE 進行寫入操作. 因此這只能說使用 Flash 來達成的"類"EEPROM 的功能.

發表於: 2023/11/20 11:41

Edited by Libra on 2023年11月21日 09:31:51
頂部


Re: 請問APP-SAM9X60 Hobby Kit在starting kernel時會卡住的問題
#55
新會員
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Hi Kevin,

好喔, 我再來試試. 感謝!


BR,
Mark

發表於: 2023/11/18 11:20
頂部


Re: 請問APP-SAM9X60 Hobby Kit在starting kernel時會卡住的問題
#56
管理員
管理員


Mark_Chen 你好,
請參考 Microchip Taiwan eRTC - eLNX001_V01 2023AugSAM9x60 Hobby board patch 說明來嘗試編譯。
縮圖

Attach file:



jpg  Buildroot.jpg (117.49 KB)
123092_65557b04d1b5c.jpg 811X467 px

發表於: 2023/11/16 10:13
頂部


Re: 請問APP-SAM9X60 Hobby Kit在starting kernel時會卡住的問題
#57
新會員
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Hi Kevin,

在您指定的目錄下未找到at91-sam9x60_curiosity.dts
附件是我目錄下的截圖.

謝謝!

Attach file:



jpg  at91.jpg (25.60 KB)
123526_6554df8e2aa83.jpg 696X564 px

發表於: 2023/11/15 23:11
頂部


Re: 請問在microchip sample網站訂的樣品,大概多久會到?
#58
管理員
管理員


您好, 郵差很厲害的, 只要您的5碼郵遞區號寫正確, 鄉下地方也沒問題喔!
英文地址翻譯可以上中華郵政幫您自動翻譯
https://www.post.gov.tw/post/internet/ ... hZone/index.jsp?ID=130112

發表於: 2023/11/15 13:45
頂部


Re: ATMEGA168PB flash corruption
#59
管理員
管理員


請問觸摸CRYSTAL Pin的行為造成 flash corruption 是因為產品設計上該腳位會被使用者誤觸所導致的嗎?
SPM指令只可在 Boot Program section ( Bootloader) 中執行, 程式應該是真的有進到 bootloader 才會執行到 SPM,
可否確認發生 flash corruption 前, 程式是否進入 bootloader 中 ? 是否為 Reset 導致進入 Bootloader ?
使用外部晶振時, 若Crystal Pin有雜訊導致時脈異常, 有可能令程式停止執行或是產生不可預期的結果.

發表於: 2023/11/15 13:40
頂部


Re: 關於內部Nonvolatile Memory讀寫的問題 SAMC21N18A
#60
新會員
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Hi Libra,

感謝您的回覆~
另外,想再請教關於RWWEE與EEPROM emulation的差異。

以下是我根據Datasheet第9章(Memories)與第27章(NVMCTRL – Nonvolatile Memory Controller)中的了解,不曉得觀念是否正確?

Q1:
首先是針對位址(Address)的部分,以SAMC21N18A型號來說,RWWEE是已經固定好的一塊8KB大小空間,位址為:0x00400000 ~ 0x00401FFF,如Datasheet中Figure 27-3所示。

EEPROM emulation 則是在256KB的Flash中(0x00000000 ~ 0x0003FFFF),切一塊空間出來模擬EEPROM,大小可以在NVM User Row中選定,並且從最高位址往下切割,如Datasheet中Figure 27-4所示。

EX: NVM User Row (0x804000 [6:4]) 寫入1 ,表示EEPROM Emulation Area Size 為 8Kbytes的大小,位址會落在: 0x0003E000 ~ 0x0003FFFF。

- ---------------- 我是分隔線 --------------------

Q2:
RWWEE 與 EEPROM Emulation之所以稱做EEPROM,是因為其寫入/抹除行為能單一字節做處理嗎?
但按照RWWEE的範例程式來看,一樣只能以頁面(Page or Row)的單位做處理。
若不是以上的原因為何稱為EEPROM?

- ---------------- 我是分隔線 --------------------
1. 兩者分別使用的情境為何?以及RWW (Read While Write)的實際用途?

謝謝

發表於: 2023/11/13 17:06
頂部



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